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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Confronto
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
36
Intorno -20% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
15.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
30
Velocità di lettura, GB/s
15.8
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
21300
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2497
3462
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
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