RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
36
Rund um -20% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
13.2
Speicherbandbreite, mbps
21300
21300
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2497
3462
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link