Confronto tra le RAM Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

Punteggio complessivo

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

36 49

Intorno 27% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

11.8 11.0

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

25600 21300

Intorno 1.2 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2497 2534

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns