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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Comparar
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
49
Por volta de 27% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
11.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
49
Velocidade de leitura, GB/s
15.8
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
11.0
Largura de banda de memória, mbps
21300
25600
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2497
2534
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
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