RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Confronto
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
23
Intorno -5% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
22
Velocità di lettura, GB/s
13.4
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2269
3036
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link