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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Confronto
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
23
Intorno -5% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
22
Velocità di lettura, GB/s
13.4
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2269
3036
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
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Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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