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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
15.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
11.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
24
Velocità di lettura, GB/s
16.0
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
21300
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2744
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
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