RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2744
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Corsair CMSX8GX3M2B1600C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link