RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2744
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Corsair CMSX8GX3M1A1600C1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link