RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2744
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
SK Hynix HMT451U6AFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Corsair CMSX8GX3M2B1600C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link