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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
23
Por volta de -5% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
22
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
12.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2269
3036
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
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