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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Confronto
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
62
Intorno 63% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.3
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
62
Velocità di lettura, GB/s
13.4
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2269
2138
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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