RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Confronto
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
64
Intorno 64% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
64
Velocità di lettura, GB/s
13.4
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2269
2197
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link