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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
64
左右 64% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
64
读取速度,GB/s
13.4
18.0
写入速度,GB/s
8.0
8.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2197
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
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