Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Punteggio complessivo
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    23 left arrow 42
    Intorno 45% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    13.7 left arrow 13.4
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.3 left arrow 8.0
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    23 left arrow 42
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.4 left arrow 13.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.0 left arrow 8.3
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2269 left arrow 2152
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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