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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
42
左右 45% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.7
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
8.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
23
42
读取速度,GB/s
13.4
13.7
写入速度,GB/s
8.0
8.3
内存带宽,mbps
10600
10600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2152
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
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