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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Confronto
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
37
Intorno -76% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
21
Velocità di lettura, GB/s
13.2
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3460
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
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