RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Confronto
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.2
12.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
37
Intorno -32% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.2
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
28
Velocità di lettura, GB/s
13.2
12.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2545
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link