RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Confronto
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
37
Intorno -9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
34
Velocità di lettura, GB/s
13.2
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2812
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link