RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
37
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.4
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2812
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM2X2048-8500C5 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link