RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Confronto
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
44
Intorno 16% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.2
8.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
5.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
44
Velocità di lettura, GB/s
13.2
8.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
5.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
1660
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
AMD R5S34G1601U1S 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link