RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Confronto
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
41
Intorno -37% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
30
Velocità di lettura, GB/s
13.3
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2176
3142
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB Confronto tra le RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link