RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
28
Intorno -22% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
23
Velocità di lettura, GB/s
12.7
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3188
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link