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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
28
Velocità di lettura, GB/s
12.7
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2944
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
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