Confronto tra le RAM Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

Punteggio complessivo

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

28 96

Intorno 71% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

12.7 11

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

7.5 4.8

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 8500

Intorno 2.26 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1066 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1988 1062

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns