RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
35
Intorno 20% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
35
Velocità di lettura, GB/s
12.7
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2982
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link