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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
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Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
28
Velocità di lettura, GB/s
12.7
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3398
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
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