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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
13.0
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3398
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
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