RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
36
Intorno 22% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.9
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
36
Velocità di lettura, GB/s
12.7
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2570
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link