RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
36
Por volta de 22% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
36
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
10.9
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2570
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link