RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
28
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.8
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.2
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
26
Velocità di lettura, GB/s
12.7
18.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
14.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3576
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link