RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
28
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.8
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
18.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
14.2
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
3576
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Kingston 9905417-061.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link