Confronto tra le RAM Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Punteggio complessivo

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

27 28

Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

14.6 12.7

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

10.5 7.5

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

17000 8500

Intorno 2 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1066 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1988 2409

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns