RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2409
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link