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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.5
6.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.8
12.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
28
Velocità di lettura, GB/s
12.7
12.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
6.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
1974
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
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