RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
33
Intorno 15% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
33
Velocità di lettura, GB/s
12.7
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3321
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link