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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
33
左右 15% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
33
读取速度,GB/s
12.7
16.5
写入速度,GB/s
7.5
12.6
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3321
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
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