RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
29
Intorno 3% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.8
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
29
Velocità di lettura, GB/s
12.7
12.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2601
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link