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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
29
Por volta de 3% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.8
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
29
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
12.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
8.4
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2601
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
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Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
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Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
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