RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.7
12.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.3
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
28
Velocità di lettura, GB/s
12.7
12.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2382
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link