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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.7
12.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.3
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
12.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
9.3
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2382
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
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