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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
85
Intorno 67% latenza inferiore
Motivi da considerare
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.2
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
85
Velocità di lettura, GB/s
12.7
13.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
9.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
1838
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
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