RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
85
Wokół strony 67% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
85
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
1838
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link