RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
32
Intorno 13% latenza inferiore
Motivi da considerare
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.1
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
32
Velocità di lettura, GB/s
12.7
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2819
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link