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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.8
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.7
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
28
Velocità di lettura, GB/s
12.7
18.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
17.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3838
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
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