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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.8
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.7
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
28
读取速度,GB/s
12.7
18.8
写入速度,GB/s
7.5
17.7
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3838
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB RAM的比较
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
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Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
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