RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
8.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
35
Intorno -25% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
28
Velocità di lettura, GB/s
14.4
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
8.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
2489
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
‹
›
Segnala un bug
×
Bug description
Source link