RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2489
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link