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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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Motivi da considerare
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
35
Velocità di lettura, GB/s
14.4
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
3127
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16G3200CL22 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
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