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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
総合得点
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
総合得点
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
16
14.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.7
9.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
35
35
読み出し速度、GB/s
14.4
16.0
書き込み速度、GB/秒
9.5
12.7
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2321
3127
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
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Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA302G08-GGNHC 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
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