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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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更快的读取速度,GB/s
16
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
35
读取速度,GB/s
14.4
16.0
写入速度,GB/s
9.5
12.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
3127
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
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