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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Confronto
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
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Motivi da considerare
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
39
Intorno -39% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
28
Velocità di lettura, GB/s
11.7
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1749
2417
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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